Prughjettu di fabricazione di film anti riforza

Prucessu tecnologicu
Fornite materiali di crescita è fonti di gasu: Fornite materiali di crescita ancu di l'anti riforza, cum'è sio in qualchi fonti currispondenu à e fonti corrispondenu, mentre chì furnisce fonti currispondenu à e fonti di u gasu, cum'è sih ₄ inseme cumminavi di fonte di gasu.
Formazione di l'anti di riflessione: Aduprate u listessu materiale di crescita per a forma sequenziale almenu dui capi anti riflessioni di u film di i più riflessioni nantu à a capa sottostata. A strata sustrata pò includia strata di a sio, è a strata di assicuru, sequenza in longu di a direzione di a crescita di film. Pighendu a strata di i dui strati di ruffione antica (Prima capace di riflessione è un semplice capace di riflessione) cum'è un esempiu, hè furmatu da u prucessu di crescita epitaxiunale (cum'è a plasma rinfrescante u metudu di u fogliu di u statu di u legeru Chimaculale Pecvd). I passi specifichi sò i seguenti:
Processione Substrata: Dopu semicondductor Proceso nantu à a strata di Substrate, postu u substrate capa nantu à l'equipaggiu di depositivi Cvd.
Settings di paràmetri equipaggiu: Controlà a temperatura superiore elettrica di l'equipaggiu di depositu à 200-300 è a temperatura inferiore di u 30-350.
A crescita di a prima capa di u riunione: Ajuste i punti diposizione di u primu dipositu, cumpresu u primu oghjettu di u primu musu, n ₂ O., o qualsiasi ricessa di u spessa è nò una gamma di indici di pietra di 1.4-1.71.
A crescita di una seconda vera layer: Ajusta i paràri di depositu di u secondu dipositiò, il Second Principessa di u secondu, u secondu diume di gasa, nò ★ 10-200nm è un indice refrattivu di 1.4-1.71.

Vantaghji tecnologichi
Aduprendu u listessu materiale di crescita, u film di l'anti riflessione pò esse compagatu à filmi di riflettive Stack è di preparazione per i fonti di preparazione è uguali à u prucessu di a preparazione.

Prumicetta di fabbricazione di consigliu Sio ₂ / Tio ₂ ciali fimmini

Prucessu tecnologicu
Preparazione di u Segnu sustrgate trasfurenti cume vetru Organi, u filmu polimitu, ecc, è realizanu una superficia di rimazione è di polvera pulita. Se necessariu, un pulizzeru unicu o doppia faccia pò esse realizatu per migliurà l'efficienza di trasmissione di luce.
A preparazione di precursore di filmu: TetraetToxysilane (TEBRA) è TRUBUTYL TITU (TBT) cuntene à etanolu chì cuntene nh ₄ oh in una certa proporzione, è a reazzione hè tinutu da SOLTA TWAPEPERENTE.
Rivestimentu è curing: u sistema preparatu sil gel hè sempriciatu nantu à a sustrate trasparente, è spin Caccia, spraying, brushing è altri schemi ponu esse usati. Dopu a rivestimentu, u hibrid sio ₂ / tio ₂ precursore filmu hè pusatu in un fornu per cura e trattamentu di l'aredimentu, formendu una struttura multi-stratta.
U revestimentu circular: Ripetite u repectu è u prucessu di currazione finu à chì u effettu anti riflettivu hè ottenutu. Tempi di revestimentu differenti affettanu a performance di i filmi anti riflettivi, è a ricerca è l'ottimisazione hè necessaria.
Trattamentu di a superficia è a Stabilità di l'Antiquista, un capa di polimeru hydrophil è idrophobi pò esse currettu nantu à a superficia di u film anti riflessivu.

Prughjettu di fabricazione di filmu anti riforendiva
Prucessu tecnologicu
L'infrared Anti Femm di Riflessione hè basatu nantu à silicion è rifiutu cù i filmi antiflementu da i dui lati di u sustratu. A struttura di u sistema di film di l'anti riflessione hè indipindente di l'altru cum'è (HL) ^ s, induve H rapprisenta a capa sio, S rapprisenta u periodu di a struttura di u HL, è u valore di S hè un integeru trà 3-6. A capa si hè adiacente à u sustrato, è a capa di Sio si trova nantu à a superficia. U prucessu di cuattizione hè aduprata per appicà a capa di filmà, cù a strer di film di film cum'è l'estremità esterna, chì hà una diffirenza alta è ùn hà micca bisognu di una capta prutenza. Inoltre, sio hà un indice refrigattivu più bassu, chì pò riduce a riflettenza di a superficia è a più aumentu di trasmissione infrarata.

Prughjetti di fabricazione di trasinimentu di alta temperatura CO ₂ Laser Anti Refortive
prucessu tecnologicu
Materiale Pre Me FUTING: Trattamentu di fasing seventatu in yttrium Fluoriati, CALCIC SLENEIDE Materiali per caccià l'impurità.
A stuntenza a strata di film: U primu Layer di fluoride U Firma Yttrium, Layer di zincu si trova à una strata di fluoride è seconda è stata sequenziale L'area di copertura di ogni strata hè di più di u 95% di a superficia di a capa sustrata. I requisiti di u spessore fisicu per ogni capa hè a seguente: u spessore fisicu di a prima strata di Giurapazione Yttrium hè di 95-100 nanometri; U spessore fisicu di a capa di fluoria di Ytterbium CALCIUM hè 860-870 nanometri; U spessore fisicu di a capa di u zincu selende hè 240-250 nanometri; U spessore fisicu di a seconda capra di fluoria Ytttrium hè 95-100 nanometri.
 

Vantaghji tecnologichi
U Preparatu Anti Rufligazione di Riflessione hà una struttura simplice è u disignu exquisite. U quattru a cumminazione di quattru liceas hà e caratteristiche di a resistenza alta, alta trassenza, ascolta di membrana di a signora, stress compostu trà a lied di Membran, è micca ruptura di a capa di membrania. Pò scuntrà l'operazione cuntinua in cundizioni contorni à alta temperatura, è i materiali usati in ogni lesser ùn sò micca radioattivi, chì ùn pruvucanu micca i danni à l'operatori è l'ambiente.